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2N7002TQ-7-F

功能描述：MOSFET NCH 60V 115MA SOT523

制造商：diodes incorporated

系列：汽车级，AEC-Q101

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：115mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：50pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：150mW（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：13.5 欧姆 @ 500mA，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SOT-523

封装/外壳：SOT-523

标准包装：1

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